[发明专利]一种侦测结构、及STI异常孔洞的侦测方法有效

专利信息
申请号: 202011456803.X 申请日: 2020-12-10
公开(公告)号: CN112599436B 公开(公告)日: 2022-07-05
发明(设计)人: 李时璟 申请(专利权)人: 泉芯集成电路制造(济南)有限公司
主分类号: H01L21/66 分类号: H01L21/66
代理公司: 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 代理人: 李晓光
地址: 250101 山东省济南市*** 国省代码: 山东;37
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摘要: 发明提供了一种侦测结构、及STI异常孔洞的侦测方法,基于STI区域位于P型衬底上第一N型掺杂区域和第二N型掺杂区域之间的侦测结构,将栅极和源极浮空,漏极接入预设电压,获取漏电流的第一变化情况;将栅极浮空,源极接地,漏极接入所述预设电压,获取漏电流的第二变化情况;依据第一变化情况和第二变化情况,判断STI区域是否存在异常孔洞。该侦测方法通过在两种上电情况下,分别获取漏电流的变化情况,当STI区域存在异常孔洞时会有额外的漏电流产生,那么漏电流的第二变化情况必然会出现明显的变化,显然通过漏电流的两种变化情况可以判断出STI区域是否存在异常孔洞,且该侦测方法简单,耗时也比较短。
搜索关键词: 一种 侦测 结构 sti 异常 孔洞 方法
【主权项】:
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