[发明专利]冷却装置、冷却方法以及半导体封装的制造方法在审
| 申请号： | 202011458722.3 | 申请日： | 2020-12-11 |
| 公开（公告）号： | CN112992727A | 公开（公告）日： | 2021-06-18 |
| 发明（设计）人： | 上野幸一;梶屋央子 | 申请（专利权）人： | 株式会社斯库林集团 |
| 主分类号： | H01L21/67 | 分类号： | H01L21/67;H01L21/56 |
| 代理公司： | 隆天知识产权代理有限公司 72003 | 代理人： | 向勇;宋晓宝 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明提供一种能够在短时间内均匀地使被加热处理的矩形形状的基板降温的冷却技术，并且提供一种能够制造高品质的制造半导体封装的半导体封装的制造方法。本发明包括：冷却板，从下方冷却被定位在冷却位置的基板；升降机构，使基板在铅垂方向上相对于冷却板在比冷却位置高的待机位置与冷却位置之间升降；以及矫正机构，具有能够与基板的周缘部的上表面抵接的矫正构件，矫正机构通过在被定位在冷却位置的基板的四边附近使矫正构件位于冷却位置来将基板的周缘部矫正至冷却位置，从而控制基板的姿势。 | ||
| 搜索关键词： | 冷却 装置 方法 以及 半导体 封装 制造 | ||
【主权项】：
暂无信息
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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