[发明专利]一种氧化增光二极管制作方法有效
| 申请号： | 202011459843.X | 申请日： | 2020-12-11 |
| 公开（公告）号： | CN112563378B | 公开（公告）日： | 2022-02-25 |
| 发明（设计）人： | 夏黎明;李青民;任占强;李喜荣;王宝超;张超奇;孙丞;李波 | 申请（专利权）人： | 西安立芯光电科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/32 | 分类号： | H01L33/32;H01L33/36;H01L33/40;H01L33/44;H01L33/26;H01L33/00 |
| 代理公司： | 西安智邦专利商标代理有限公司 61211 | 代理人： | 郑丽红 |
| 地址： | 710077 陕西省西*** | 国省代码： | 陕西;61 |
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| 摘要： |
本发明提供一种氧化增光二极管制作方法，解决现有二极管制作方法存在氧化不均匀、串联电阻高、造成产品分类多、循环次数较多等问题。该方法包括：步骤一、在GaAs衬底上生长外延结构，在进行AlAs生长时，TMAl中增加40～100PPM的氧元素；步骤二、制作正面金属电极；步骤三、制作背面金属；步骤四、图形制作；步骤五、在350～450℃、保护气体环境下进行退火；步骤六、进行切割；步骤七、进行AlAs氧化，氧化气体条件：在保护气体环境下增加水蒸气，混气出口温度90～100℃；步骤八、进行芯片测试。本发明方法在TMAl中加入少量的氧元素，使得产品氧化均匀性提高，同时AlAs氧化后变成Al |
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| 搜索关键词： | 一种 氧化 增光 二极管 制作方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
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