[发明专利]一种具有沟槽发射极埋层的IGBT结构在审
| 申请号： | 202011461775.0 | 申请日： | 2020-12-09 |
| 公开（公告）号： | CN112510082A | 公开（公告）日： | 2021-03-16 |
| 发明（设计）人： | 伍伟;李岩松;古湧乾 | 申请（专利权）人： | 电子科技大学 |
| 主分类号： | H01L29/06 | 分类号： | H01L29/06;H01L29/417;H01L29/739 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 611731 四川省成*** | 国省代码： | 四川;51 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种具有沟槽发射极埋层的IGBT结构，该结构在常规CS‑IGBT结构的基础上，将发射极做成浅沟槽结构，并在发射极沟槽以及栅极沟槽底部增加了两个p型掺杂区MP和BP，在提高载流子存储层浓度Ncs的基础上，保留放大注入增强效应的增益并抑制了由Ncs增加所诱发的动态雪崩击穿。优化了关断损耗与通态压降之间的权衡，并有效抑制了EMI噪声的干扰。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 具有 沟槽 发射极 igbt 结构 | ||
【主权项】：
暂无信息
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