[发明专利]一种基于有限元仿真的IGBT状态监测方法在审
| 申请号： | 202011462185.X | 申请日： | 2020-12-09 |
| 公开（公告）号： | CN112699579A | 公开（公告）日： | 2021-04-23 |
| 发明（设计）人： | 伍伟;古湧乾;李岩松 | 申请（专利权）人： | 电子科技大学 |
| 主分类号： | G06F30/23 | 分类号： | G06F30/23;G06F30/27;G06F30/3308;G06F119/08 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 611731 四川省成*** | 国省代码： | 四川;51 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种基于有限元仿真的IGBT状态监测方法，其包括以下步骤：S1、获取IGBT模块Vce,on的历史数据；S2、建立键合线退化过程的失效物理模型；S3、建立键合线退化过程的状态空间方程；S4、通过参数学习算法确定Vce,on修正方程的未知量；S5、状态估计。本发明揭示了IGBT模块Vce,on的增加与键合线退化的关系，建立了IGBT模块键合线退化的精确模型，利用基于粒子的边缘重采样移动算法估算出当前裂纹长度，从而进行状态估计。从建立模型到算法实现，不需要进行大量的功率循环试验，与传统状态监测方法相比，降低了时间成本和经济成本，减小了监测误差，提高了IGBT的可靠性。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 基于 有限元 仿真 igbt 状态 监测 方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
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