[发明专利]一种阱内高压高精度的多晶硅电阻及其制作方法在审
| 申请号： | 202011466087.3 | 申请日： | 2020-12-14 |
| 公开（公告）号： | CN112582344A | 公开（公告）日： | 2021-03-30 |
| 发明（设计）人： | 程绪林;黄立朝;丁宁;张如州;孔祥艺 | 申请（专利权）人： | 中国电子科技集团公司第五十八研究所 |
| 主分类号： | H01L21/8234 | 分类号： | H01L21/8234;H01L23/64;H01L21/762;H01L27/06 |
| 代理公司： | 无锡派尔特知识产权代理事务所(普通合伙) 32340 | 代理人： | 杨立秋 |
| 地址： | 214000 *** | 国省代码： | 江苏;32 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明公开了一种阱内高压高精度多晶硅电阻及其制作方法，涉及半导体技术领域，所述方法包括：形成硅衬底；在所述硅衬底的上表面通过杂质扩散掺杂的方式形成第一厚度的辅助漂移区；在所述辅助漂移区的上表面再通过杂质扩散掺杂或淀积的方式形成漂移区；在所述漂移区的上表面形成第二厚度的外延层区域，并通过有源场区定义得到高压阱；在所述高压阱内生长多晶硅电阻。多晶硅电阻生长在高压阱中，电阻四周被绝缘介质包裹并封闭。封闭的电阻全绝缘，无漏电，不易受热膨胀，温度系数好且可以兼容集成在各种CMOS工艺中。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 高压 高精度 多晶 电阻 及其 制作方法 | ||
【主权项】：
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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