[发明专利]存储结构、三维存储器及其制造方法

摘要

本发明提供一种存储结构、三维存储器及其制造方法，将用来划分相邻两个块结构的栅线分隔槽去掉，仅保留对块结构内部进行区划的栅线分隔槽，去除伪栅极层时会保留部分，保留的伪栅极层形成了隔离结构，通过该隔离结构可区划隔绝不同的块结构；保留的伪栅极层将相邻的块结构连在一起，使结构更稳固，增加了对堆栈结构的支撑，提高了器件的良率；块结构之间的栅线分隔槽被省略，降低了栅线分隔槽的刻蚀工作量，减少了热过程，由此减少了衬底应力的改变和翘曲，提高了成膜质量；块结构之间的栅线分隔槽被省略，减小了栅线分隔槽的占用面积，在相同存储容量的基础上节省了芯片面积，有利于器件的高密度和结构小型化设计。