[发明专利]弱能量收集用锗锡肖特基二极管、弱能量收集电路和天线在审

专利信息
申请号: 202011467431.0 申请日: 2020-12-14
公开(公告)号: CN112563334A 公开(公告)日: 2021-03-26
发明(设计)人: 左瑜 申请(专利权)人: 西安科锐盛创新科技有限公司
主分类号: H01L29/872 分类号: H01L29/872;H01L29/165;H01L21/329
代理公司: 西安嘉思特知识产权代理事务所(普通合伙) 61230 代理人: 王海栋
地址: 710065 陕西省西安市高新区高新路86号*** 国省代码: 陕西;61
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摘要: 发明涉及一种弱能量收集用锗锡肖特基二极管、弱能量收集电路和天线,弱能量收集用锗锡肖特基二极管包括:衬底;低温Ge缓冲层,形成于衬底的上表面;高温Ge缓冲层,形成于低温Ge缓冲层的上表面;n+DR‑Ge1‑xSnx层,形成于高温Ge缓冲层的上表面;nDR‑Ge1‑xSnx层,形成于n+DR‑Ge1‑xSnx层的上表面的一端;Si帽层,形成于nDR‑Ge1‑xSnx层的上表面;第一电极,形成于Si帽层的上表面;第二电极,形成于n+DR‑Ge1‑xSnx层的上表面的另一端。本发明通过引入Si帽层和合金化锗锡层,可在降低开启电压同时使电子迁移率提高,能够保证整流效率得到有效提升,实现弱能量密度环境下的能量收集。
搜索关键词: 能量 收集 用锗锡肖特基 二极管 电路 天线
【主权项】:
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