[发明专利]弱能量收集用锗锡肖特基二极管的制备方法

摘要

本发明涉及一种弱能量收集用锗锡肖特基二极管的制备方法，包括：选取衬底；在衬底的上表面形成低温Ge缓冲层；在低温Ge缓冲层的上表面形成高温Ge缓冲层；在高温Ge缓冲层的上表面形成n+DR‑Ge1‑xSnx层；在n+DR‑Ge1‑xSnx层的上表面形成n‑DR‑Ge1‑xSnx层；在n‑DR‑Ge1‑xSnx层的上表面形成Si帽层；刻蚀至n+DR‑Ge1‑xSnx层的上表面形成台阶结构；在Si帽层的上表面形成第一电极；在n+DR‑Ge1‑xSnx层的上表面形成第二电极。本发明通过引入Si帽层和合金化锗锡层，可在降低开启电压同时使电子迁移率提高，保证整流效率得到提升，实现弱能量密度环境下的能量收集。