[发明专利]一种基于二维材料的多偏振态检测光探测器及其制备方法在审
申请号: | 202011469559.0 | 申请日: | 2020-12-15 |
公开(公告)号: | CN114639746A | 公开(公告)日: | 2022-06-17 |
发明(设计)人: | 李绍娟;王彬;安君儒;刘明秀;张亚男 | 申请(专利权)人: | 中国科学院长春光学精密机械与物理研究所 |
主分类号: | H01L31/032 | 分类号: | H01L31/032;H01L31/0352;H01L31/18;G01J4/04 |
代理公司: | 长春众邦菁华知识产权代理有限公司 22214 | 代理人: | 宁晓丹 |
地址: | 130033 吉*** | 国省代码: | 吉林;22 |
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摘要: | 一种基于二维材料的多偏振态检测光探测器及其制备方法涉及光电探测技术领域,解决了需求一种不限制二维材料种类且结构简单的偏振光探测器问题,包括基板、设置在基板上的金属电极、设置在基板上的N种纳米条阵列,N种纳米条阵列能够吸收N种偏振角度的偏振光,N为大于等于2的整数,纳米条连接金属电极,纳米条为纳米线或纳米带,纳米条宽度为5nm‑5μm,纳米条阵列的材料为具有光电响应能力的二维材料。本发明不限定何种二维材料,具有高偏振灵敏的光吸收,二维材料既充当有偏振效应的光学介质的功能,同时二维材料本身也是探测器件的光响应介质,二者结合实现偏振探测在材料选择方面不再有局限,降低了体积、复杂度、灵敏度损失和分辨率损失。 | ||
搜索关键词: | 一种 基于 二维 材料 偏振 检测 探测器 及其 制备 方法 | ||
【主权项】:
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的