[发明专利]用于CMOS图像传感器的深沟槽隔离(DTI)结构在审
| 申请号： | 202011470484.8 | 申请日： | 2020-12-14 |
| 公开（公告）号： | CN113013185A | 公开（公告）日： | 2021-06-22 |
| 发明（设计）人： | 臧辉;陈刚 | 申请（专利权）人： | 豪威科技股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L27/146 | 分类号： | H01L27/146 |
| 代理公司： | 北京律盟知识产权代理有限责任公司 11287 | 代理人： | 刘媛媛 |
| 地址： | 美国加利*** | 国省代码： | 暂无信息 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本申请案涉及一种用于CMOS图像传感器的深沟槽隔离DTI结构。用于CMOS图像传感器的半导体结构包含具有第一侧及第二侧的半导体衬底。光电二极管安置于所述半导体衬底中接近于所述第一侧。所述光电二极管累积响应于经引导穿过所述第二侧的入射光而在所述光电二极管中光生的图像电荷。深沟槽隔离结构围封所述光电二极管。所述深沟槽隔离结构从所述第二侧朝向所述第一侧延伸。所述深沟槽隔离结构包含安置于所述深沟槽隔离结构朝向所述第一侧的第一端处的光吸收区域。 | ||
| 搜索关键词： | 用于 cmos 图像传感器 深沟 隔离 dti 结构 | ||
【主权项】：
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
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H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
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H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
