[发明专利]集成芯片及其形成方法在审
| 申请号： | 202011472785.4 | 申请日： | 2020-12-15 |
| 公开（公告）号： | CN113009623A | 公开（公告）日： | 2021-06-22 |
| 发明（设计）人： | 宋巍巍;斯帝芬鲁苏;陈建宏;卓联洲;郭丰维 | 申请（专利权）人： | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
| 主分类号： | G02B6/12 | 分类号： | G02B6/12;G02B6/122;G02B6/124;G02B6/13 |
| 代理公司： | 南京正联知识产权代理有限公司 32243 | 代理人： | 王素琴 |
| 地址： | 中国台湾新竹科*** | 国省代码： | 台湾;71 |
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| 摘要： | 在一些实施例中，本公开涉及一种集成芯片，所述集成芯片包括排列在衬底之上的绝缘体层。此外，上部布线结构排列在绝缘体层之上且由半导体材料制成。下部光学布线结构排列在衬底下方且嵌置在下部介电结构中。集成芯片还包括排列在衬底下方且直接接触衬底的减反射层。 | ||
| 搜索关键词： | 集成 芯片 及其 形成 方法 | ||
【主权项】：
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