[发明专利]具有结晶硅和富陷阱多晶硅层的晶片在审
| 申请号： | 202011472909.9 | 申请日： | 2020-12-15 |
| 公开（公告）号： | CN113130621A | 公开（公告）日： | 2021-07-16 |
| 发明（设计）人： | A·K·斯塔珀;S·M·尚克;J·J·派卡里克;V·贾因;J·J·埃利斯-莫纳甘 | 申请（专利权）人： | 格芯（美国）集成电路科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/06 | 分类号： | H01L29/06;H01L29/04;H01L21/762 |
| 代理公司： | 北京市中咨律师事务所 11247 | 代理人： | 贺月娇;杨晓光 |
| 地址： | 美国加利*** | 国省代码： | 暂无信息 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本公开涉及半导体结构，更具体地涉及具有结晶硅和富陷阱多晶硅层的晶片及制造方法。该结构包括：绝缘体上半导体(SOI)晶片，其由下结晶半导体层、位于下结晶半导体层上方的多晶硅层、位于多晶硅层上方的上结晶半导体层、位于上结晶半导体层上方的掩埋绝缘体层，以及位于掩埋绝缘体层上方的顶部结晶半导体层组成。 | ||
| 搜索关键词： | 具有 结晶 陷阱 多晶 晶片 | ||
【主权项】：
暂无信息
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