[发明专利]一种真空蒸镀用基片辅助降温装置在审
| 申请号： | 202011474759.5 | 申请日： | 2020-12-15 |
| 公开（公告）号： | CN112599446A | 公开（公告）日： | 2021-04-02 |
| 发明（设计）人： | 熊继光;赵志国;秦校军;肖平;赵东明;邬俊波;董超;刘家梁;王百月;冯笑丹;梁思超;王森;张杰 | 申请（专利权）人： | 华能新能源股份有限公司;中国华能集团清洁能源技术研究院有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/67 | 分类号： | H01L21/67;H01L21/687;H01L51/56 |
| 代理公司： | 西安通大专利代理有限责任公司 61200 | 代理人： | 李鹏威 |
| 地址： | 100036 北京市海淀*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种真空蒸镀用基片辅助降温装置，包括设置在水冷基板和电池基片之间的降温系统，所述降温系统包括密闭设置的气囊和填充在气囊内部的可流动散热介质，所述降温系统与水冷基板的底面和电池基片贴合，在水冷降温的基础上，于降温组件和电池基片之间添加辅助降温的气囊，气囊同时与降温组件和电池基片形成紧密面接触，增加热传导效率，改善降温效果，避免电池膜层过热受损。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 真空 蒸镀用基片 辅助 降温 装置 | ||
【主权项】：
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
