[发明专利]一种抗电子辐射多层结构屏蔽材料及其制备方法在审
| 申请号： | 202011475474.3 | 申请日： | 2020-12-14 |
| 公开（公告）号： | CN112599271A | 公开（公告）日： | 2021-04-02 |
| 发明（设计）人： | 马书旺;韩修柱;吕政;周傲松;王健;杨志民;杨剑;毛昌辉 | 申请（专利权）人： | 有研工程技术研究院有限公司 |
| 主分类号： | G21F1/08 | 分类号： | G21F1/08;G21F1/12;B64G1/54 |
| 代理公司： | 中国有色金属工业专利中心 11028 | 代理人： | 范威 |
| 地址： | 101407 北京市怀*** | 国省代码： | 北京;11 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： |
本发明公开了属于空间辐射防护技术领域的一种抗高能电子辐射多层结构屏蔽材料及其制备方法。根据空间辐射环境对材料重量和屏蔽性能等强约束条件及要求，采用多层屏蔽的设计方法，设计的屏蔽材料主体层由高Z金属钽和低Z金属镁复合而成。当面密度为2g/cm |
||
| 搜索关键词： | 一种 电子 辐射 多层 结构 屏蔽 材料 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于有研工程技术研究院有限公司，未经有研工程技术研究院有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/202011475474.3/，转载请声明来源钻瓜专利网。
