[发明专利]一种具有类超晶格结构的选通管及其制备方法在审
| 申请号： | 202011476276.9 | 申请日： | 2020-12-15 |
| 公开（公告）号： | CN112652713A | 公开（公告）日： | 2021-04-13 |
| 发明（设计）人： | 童浩;王伦;王位国;缪向水 | 申请（专利权）人： | 华中科技大学 |
| 主分类号： | H01L45/00 | 分类号： | H01L45/00;H01L27/24;B82Y40/00 |
| 代理公司： | 杭州宇信知识产权代理事务所(普通合伙) 33231 | 代理人： | 张宇娟 |
| 地址： | 430074 湖北*** | 国省代码： | 湖北;42 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种具有类超晶格结构的选通管及其制备方法，属于微纳米电子技术领域。该选通管包括衬底、以及依次层叠在衬底上的第一金属电极层、类超晶格层以及第二金属电极层，类超晶格层包括周期性交替层叠的n+1个第一子层和n个第二子层，第一子层的材料为非晶碳，第二子层的材料为具有选通性能的硫系化合物。第一子层的非晶碳作为缓冲层与第一金属电极层和第二金属电极层接触，可以阻止高温导致的具有选通性能的硫系化合物材料中的原子漂移，还可以避免引入新材料交叉污染。由于非晶碳的低热导率，本申请的选通管不仅能够保证选通管阈值电压不受影响，还使得与相变存储单元集成后，相变材料融化时扩散到选通管单元的热量更小。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 具有 晶格 结构 选通管 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
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