[发明专利]抗辐射的静态随机存储器单元以及存储器在审
| 申请号： | 202011477953.9 | 申请日： | 2020-12-15 |
| 公开（公告）号： | CN112562756A | 公开（公告）日： | 2021-03-26 |
| 发明（设计）人： | 陈静;吕迎欢;葛浩;谢甜甜;王青 | 申请（专利权）人： | 中国科学院上海微系统与信息技术研究所;上海华力微电子有限公司 |
| 主分类号： | G11C7/24 | 分类号： | G11C7/24;G11C5/06;G11C11/411 |
| 代理公司： | 上海盈盛知识产权代理事务所(普通合伙) 31294 | 代理人： | 孙佳胤 |
| 地址： | 200050 *** | 国省代码： | 上海;31 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明提供了一种抗辐射的静态随机存储器单元，包括电学串联的第一传输晶体管和第二传输晶体管，以及并联在第一和第二传输晶体管之间的两个对置互锁的第一和第二反相器，所述第一和第二反相器的上拉晶体管分别通过第一和第二延时晶体管与反相器的输入端连接，所述延时晶体管为N型晶体管，其栅极电学连接所述静态随机存储器的字线电平。本发明在原有传统6管存储单元的基础上添加两个晶体管来提高单元抗单粒子效应的能力，并通过FDSOI器件的背栅结构连接电位，提高单元的电学性能。 | ||
| 搜索关键词： | 辐射 静态 随机 存储器 单元 以及 | ||
【主权项】：
暂无信息
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于中国科学院上海微系统与信息技术研究所;上海华力微电子有限公司，未经中国科学院上海微系统与信息技术研究所;上海华力微电子有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/202011477953.9/，转载请声明来源钻瓜专利网。
