[发明专利]一种互连结构及其制造方法在审
申请号: | 202011479339.6 | 申请日: | 2020-12-15 |
公开(公告)号: | CN112582341A | 公开(公告)日: | 2021-03-30 |
发明(设计)人: | 武青青;刘轶群;朱建军 | 申请(专利权)人: | 上海集成电路研发中心有限公司 |
主分类号: | H01L21/768 | 分类号: | H01L21/768 |
代理公司: | 上海天辰知识产权代理事务所(特殊普通合伙) 31275 | 代理人: | 吴世华;陈慧弘 |
地址: | 201210 上*** | 国省代码: | 上海;31 |
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摘要: | 一种互连结构及其制造方法,包括提供一含有互连线层结构的衬底,在衬底上形成层叠层,层叠层从下到上依次包括刻蚀阻挡层、介质层、材料层和介质层;对层叠层进行光刻刻蚀形成通孔层;在形成通孔层的通孔过程中或者形成通孔之后,通过干法刻蚀或者湿法药液浸润,在通孔侧壁的材料层处横向刻蚀,以形成N个锯齿状结构;在通孔层的通孔和锯齿结构中同步生长金属材料,金属材料填满通孔层的通孔;沉积金属层,以在通孔层形成覆盖层;对塞覆盖层进行平坦化工艺,以形成平坦化的通孔层。因此,本发明通过在通孔侧壁形成锯齿状结构,增加CMP过程中研磨液的下渗路径,解决了钴缺失的问题,且工艺简单。 | ||
搜索关键词: | 一种 互连 结构 及其 制造 方法 | ||
【主权项】:
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造