[发明专利]沟道孔的制作方法、存储器及其制作方法有效

专利信息
申请号: 202011483118.6 申请日: 2020-12-15
公开(公告)号: CN112614846B 公开(公告)日: 2021-12-03
发明(设计)人: 柳波;杨超;吴振国;徐文超;何丰;轩攀登 申请(专利权)人: 长江存储科技有限责任公司
主分类号: H01L27/11556 分类号: H01L27/11556;H01L27/11524;H01L27/11582;H01L27/1157
代理公司: 北京康信知识产权代理有限责任公司 11240 代理人: 梁文惠
地址: 430074 湖北省武*** 国省代码: 湖北;42
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摘要: 发明提供了一种沟道孔的制作方法、存储器及其制作方法。该制作方法包括以下步骤:第一堆叠结构中形成有贯穿至衬底的多个第一沟道通孔,在各第一沟道通孔中形成填充层,第一堆叠结构具有至少一个切割区域,第一沟道通孔位于第一堆叠结构中除切割区域之外的区域中;在第一堆叠结构表面覆盖中间层,在与切割区域对应的中间层中形成第一对位槽;在中间层上形成第二堆叠结构,第二堆叠结构对应于第一对位槽的位置形成有第二对位槽;采用套刻工艺形成顺序贯穿第二堆叠结构和中间层至填充层的第二沟道通孔,去除填充层以使第二沟道通孔与第一沟道通孔连通。上述方法提高了第二沟道通孔与第一沟道通孔之间的对准精度,保证了器件的电学性能。
搜索关键词: 沟道 制作方法 存储器 及其
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