[发明专利]沟道孔的制作方法、存储器及其制作方法有效
申请号: | 202011483118.6 | 申请日: | 2020-12-15 |
公开(公告)号: | CN112614846B | 公开(公告)日: | 2021-12-03 |
发明(设计)人: | 柳波;杨超;吴振国;徐文超;何丰;轩攀登 | 申请(专利权)人: | 长江存储科技有限责任公司 |
主分类号: | H01L27/11556 | 分类号: | H01L27/11556;H01L27/11524;H01L27/11582;H01L27/1157 |
代理公司: | 北京康信知识产权代理有限责任公司 11240 | 代理人: | 梁文惠 |
地址: | 430074 湖北省武*** | 国省代码: | 湖北;42 |
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摘要: | 本发明提供了一种沟道孔的制作方法、存储器及其制作方法。该制作方法包括以下步骤:第一堆叠结构中形成有贯穿至衬底的多个第一沟道通孔,在各第一沟道通孔中形成填充层,第一堆叠结构具有至少一个切割区域,第一沟道通孔位于第一堆叠结构中除切割区域之外的区域中;在第一堆叠结构表面覆盖中间层,在与切割区域对应的中间层中形成第一对位槽;在中间层上形成第二堆叠结构,第二堆叠结构对应于第一对位槽的位置形成有第二对位槽;采用套刻工艺形成顺序贯穿第二堆叠结构和中间层至填充层的第二沟道通孔,去除填充层以使第二沟道通孔与第一沟道通孔连通。上述方法提高了第二沟道通孔与第一沟道通孔之间的对准精度,保证了器件的电学性能。 | ||
搜索关键词: | 沟道 制作方法 存储器 及其 | ||
【主权项】:
暂无信息
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
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