[发明专利]一种基于原子组装法制备镓基铟锡导电薄膜的方法有效
| 申请号： | 202011483749.8 | 申请日： | 2020-12-15 |
| 公开（公告）号： | CN112670028B | 公开（公告）日： | 2022-11-01 |
| 发明（设计）人： | 巫运辉;吴文剑;方泽阳 | 申请（专利权）人： | 东莞理工学院 |
| 主分类号： | H01B13/00 | 分类号： | H01B13/00 |
| 代理公司： | 深圳泛航知识产权代理事务所(普通合伙) 44867 | 代理人： | 邓爱军 |
| 地址： | 523000 广东省*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | 本发明提供了一种基于原子组装法制备镓基铟锡导电薄膜的方法，创新性的采用原子沉积方法，通过将高纯度的Ga、In或Ga、In、Sn靶材放置在真空镀膜机的蒸发槽中，在真空中通过加热将镓基液态金属的各组份形成原子沉积在基材上，以此形成原子均匀杂化的薄膜状态，然后将各组分放置在高于各组份熔点以上温度的真空热处理炉中，经过热处理后，在基材上形成镓基液态金属杂化原子的镓基铟锡导电薄膜，该方法解决了现有镓基液态金属因高表面能而难于成膜，造成镓基液态金属难于加工成薄膜导电元器件的难题，并且该镓基铟锡导电薄膜的方法可实现规模化、批量化生产，制备的镓基铟锡导电薄膜具有可大规模应用于可拉伸导电元器件中的可能，具有优异的应用前景。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 基于 原子 组装 法制 备镓基铟锡 导电 薄膜 方法 | ||
【主权项】：
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