[发明专利]半导体装置在审
| 申请号： | 202011484111.6 | 申请日： | 2020-12-16 |
| 公开（公告）号： | CN112992929A | 公开（公告）日： | 2021-06-18 |
| 发明（设计）人： | 珍·琼格曼;布莱恩·阿斯匹灵 | 申请（专利权）人： | 弗莱克英纳宝有限公司 |
| 主分类号： | H01L27/12 | 分类号： | H01L27/12;G02F1/1368 |
| 代理公司： | 北京泰吉知识产权代理有限公司 11355 | 代理人： | 史瞳;顾以中 |
| 地址： | 英国*** | 国省代码： | 暂无信息 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 一种方法，包括：在支撑衬底上原位形成：第一金属层；在所述第一金属层之后的光吸收层；在所述光吸收层之后的导体图案；以及在所述导体图案之后的半导体层；使用抗蚀剂掩模图案化所述半导体层以形成半导体图案，所述半导体图案限定一个或多个半导体装置的一个或多个半导体沟道；以及使用所述抗蚀剂掩模和所述导体图案图案化所述光吸收层，以便在由至少一个所述抗蚀剂掩模和所述导体图案中占据的区域中选择性地保留所述光吸收层。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 装置 | ||
【主权项】：
暂无信息
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
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