[发明专利]一种反熔丝单元可靠性测试方法有效
| 申请号： | 202011484729.2 | 申请日： | 2020-12-16 |
| 公开（公告）号： | CN112614791B | 公开（公告）日： | 2023-07-18 |
| 发明（设计）人： | 刘旸;杜海军;吴会利;唐冬 | 申请（专利权）人： | 中国电子科技集团公司第四十七研究所 |
| 主分类号： | H01L21/66 | 分类号： | H01L21/66;H01L23/525 |
| 代理公司： | 沈阳科苑专利商标代理有限公司 21002 | 代理人： | 王倩 |
| 地址： | 110032 辽*** | 国省代码： | 辽宁;21 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明属于反熔丝FPGA产品测试领域，具体说是一种反熔丝单元可靠性测试方法，可以在PCM测试时实现反熔丝FPGA门阵列的查空测试，以及时发现反熔丝FPGA产品的可靠性问题。在未对反熔丝单元编程前，通过对PAD点施加电压，测量反熔丝单元输出的电流，实现反熔丝单元的可靠性测试，包括以下步骤：将一组反熔丝阵列作为测试样管，分别将反熔丝阵列中的平行布线和垂直布线并联，每一个交点构成一个反熔丝单元；分别将并联的平行布线和垂直布线引出，并连接至PAD窗口；通过探针对PAD窗口施加电压，使电压施加在每个反熔丝单元上，读取反熔丝阵列输出电流；若输出电流小于电流阈值，则该测试样管可靠，反之则该测试样管不可靠。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 反熔丝 单元 可靠性 测试 方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于中国电子科技集团公司第四十七研究所，未经中国电子科技集团公司第四十七研究所许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/202011484729.2/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
