[发明专利]一种低介低损耗近零温漂低温共烧陶瓷材料及其制备方法有效

专利信息
申请号: 202011487765.4 申请日: 2020-12-16
公开(公告)号: CN114634353B 公开(公告)日: 2023-04-18
发明(设计)人: 宋锡滨;闫鑫升;朱恒;刘振锋;奚洪亮;艾辽东 申请(专利权)人: 山东国瓷功能材料股份有限公司
主分类号: C04B35/10 分类号: C04B35/10;C04B35/622;C04B35/626;C03C3/062
代理公司: 北京智桥联合知识产权代理事务所(普通合伙) 11560 代理人: 涂华明
地址: 257091 山东*** 国省代码: 山东;37
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摘要: 发明涉及电子陶瓷材料及其制造技术领域,具体涉及一种具有低介低损耗近零温漂性能的低温共烧陶瓷材料,并进一步公开其制备方法。本发明所述低介低损耗近零温漂的低温共烧陶瓷材料由ZnO‑SiO2‑Al2O3玻璃、Al2O3、稀土氧化物制备而成,使用SPDR测试方法,在室温以及测试频率20GHz下,介电常数为7±0.5,介电损耗<2×10‑3;在‑40℃~110℃温度范围内以及测试频率20GHz下,温漂为±3ppm/℃以内;此外,低温共烧陶瓷材料的抗弯强度>150MPa,可应用于5G通讯毫米波天线模组。
搜索关键词: 一种 低介低 损耗 近零温漂 低温 陶瓷材料 及其 制备 方法
【主权项】:
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