[发明专利]一种p型多晶硅钝化接触的金属化电极

摘要

本发明提供了一种p型多晶硅钝化接触的金属化电极，包括依次叠加设置的晶硅衬底、隧穿层、重掺多晶硅层、第一金属化层和第三金属化层，所述第一金属化层的金属与所述多晶硅层功函数匹配，所述第三金属化层为Al层或Cu层。本申请提供的金属化电极中叠层金属层实现了全表面载流子收集，第一金属化层的载流子传输性能良好，与重掺多晶硅层功函数匹配，能形成良好的欧姆接触，同时第一金属化层的金属在多晶硅中扩散系数低，降低第三金属化层向硅衬底扩散，金属引入缺陷减少，复合降低，降低金属化成本。