[发明专利]一种氮化镓晶圆的腐蚀装置在审
| 申请号： | 202011488898.3 | 申请日： | 2020-12-16 |
| 公开（公告）号： | CN112599449A | 公开（公告）日： | 2021-04-02 |
| 发明（设计）人： | 乔焜;邵文锋;林岳明 | 申请（专利权）人： | 国镓芯科（深圳）半导体科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/67 | 分类号： | H01L21/67;H01L21/66 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 518000 广东省深圳市福田区华富*** | 国省代码： | 广东;44 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明提供了一种氮化镓晶圆的腐蚀装置，涉及氮化镓晶圆衬底缺陷测评技术领域，包括机架和设置在机架上的电气控制组件、腐蚀槽以及第一机械臂，所述第一机械臂与电气控制组件电性连接，所述腐蚀槽中盛放有强碱，氮化镓晶圆放置在卡模上，所述卡模挂在第一机械臂上，通过电气控制组件控制第一机械臂将氮化镓晶圆浸入强碱、从强碱中取出以及控制氮化镓晶圆在强碱中的浸泡时长。本发明提供的一种氮化镓晶圆的腐蚀装置，通过机械设备操作氮化镓晶圆腐蚀过程，保证操作人员的安全，简化腐蚀过程，提高测评效率。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 氮化 镓晶圆 腐蚀 装置 | ||
【主权项】：
暂无信息
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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