[发明专利]一种具有低感复合母排结构的集成散热器IGBT功率器件在审
| 申请号： | 202011489643.9 | 申请日： | 2020-12-16 |
| 公开（公告）号： | CN112687644A | 公开（公告）日： | 2021-04-20 |
| 发明（设计）人： | 尚敬;常桂钦;黄建新;罗海辉;彭勇殿;吴义伯;窦泽春;杨进峰 | 申请（专利权）人： | 株洲中车时代半导体有限公司 |
| 主分类号： | H01L23/48 | 分类号： | H01L23/48;H01L23/367;H01L25/11;H01R9/24 |
| 代理公司： | 北京聿宏知识产权代理有限公司 11372 | 代理人： | 吴大建;何娇 |
| 地址： | 412001 湖南省株洲市石峰*** | 国省代码： | 湖南;43 |
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| 摘要： | 本发明提供一种具有低感复合母排结构的集成散热器IGBT功率器件，包括：散热器、衬板、PCB电路、端子以及低感复合母排，衬板与所述散热器互联，衬板上布置有所述PCB电路和端子，低感复合母排与所述端子连接；低感复合母排包括：相对设置的半桥IGBT器件的DC+级和半桥IGBT器件的DC‑级、以及设置在半桥IGBT器件的DC+和半桥IGBT器件的DC‑级的一侧的半桥IGBT器件的AC级。本发明集成低感复合母排，IGBT器件更为紧凑，空间占用少，能有效降低器件因连接产生的接触热阻和电阻；低感复合母排设计自由度大，寄生参数较小；由该型器件组装而成的功率组件，空间排布的自由度大，寄生参数也可以减小；杂散电感低，电流路径短，能有效降低芯片所受的应力，有利于提高器件的可靠性。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 具有 复合 结构 集成 散热器 igbt 功率 器件 | ||
【主权项】：
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