[发明专利]一种AZO材料纳米电阻薄膜及其制备方法

摘要

本发明公开了一种AZO材料纳米电阻薄膜及其制备方法，属于器件材料领域，104～1010Ω*cm的纳米电阻薄膜在微通道板，单通道电子倍增，漂移管，电荷消散排放等领域有着广泛的应用，但AZO材料在此电阻率区间时Zn含量区间(70％～73％)很窄而难以调控。通过如下步骤：1)将器件基底放入反应腔室进行抽真空，并对反应腔室进行加热并保持温度；2)设定Al2O3和ZnO的原子层沉积工艺；3)运用大循环嵌套小循环的方式设定掺杂工艺的Al2O3和ZnO的原子层排列顺序进行生长；4)设定反应腔室温度对薄膜进行退火处理。在此工艺上AZO材料可在10‑1～1010Ω*cm区间去调控优化薄膜。