[发明专利]图案形成方法

摘要

图案形成方法包括：(a)在基底上形成底层，其中所述底层的厚度为5微米或更大；(b)在所述底层上形成光致抗蚀剂层，其中所述光致抗蚀剂层由光致抗蚀剂组合物形成，所述光致抗蚀剂组合物包含含硅聚合物、光酸产生剂和溶剂，其中所述含硅聚合物包含作为聚合单元的式(I)的单体：其中：R1独立地选自H、F、OH、C1‑C6烷基、C1‑C6卤代烷基、C1‑C6羟基‑卤代烷基、C1‑C6烷氧基、或C1‑C6卤代烷氧基；R2独立地选自H或F；R3独立地选自H、F、CH3、CF3、CHF2、或CH2F；R4包括酸可裂解基团；并且m是0至2的整数；(c)将所述光致抗蚀剂层以图案方式暴露于活化辐射；(d)使暴露的光致抗蚀剂层显影以形成光致抗蚀剂图案；以及(f)使用所述光致抗蚀剂图案作为蚀刻掩模将所述光致抗蚀剂图案的图案转印到所述底层中。本发明特别适用于形成在半导体器件的形成中使用的三维图案如阶梯图案。