[发明专利]一种T形栅极金属下部栅极沟道开口的自对准方法及器件在审
| 申请号： | 202011500532.3 | 申请日： | 2020-12-18 |
| 公开（公告）号： | CN112614777A | 公开（公告）日： | 2021-04-06 |
| 发明（设计）人： | 李亦衡;黄克强;刘晓鹏;沈峰;王强;朱廷刚 | 申请（专利权）人： | 江苏能华微电子科技发展有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/28 | 分类号： | H01L21/28;H01L29/423;G03F7/42;G03F7/20 |
| 代理公司： | 苏州创元专利商标事务所有限公司 32103 | 代理人： | 王桦 |
| 地址： | 215600 江苏省苏州市张家*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种T形栅极金属下部栅极沟道开口的自对准方法，包括成型导体/半导体层、沉积电介质层，在电介质层上形成第一光刻胶层、第二光刻胶层，第一光刻胶层的光敏性高于第二光刻胶层，蚀刻形成栅极沟道开口，调整第二光刻胶层的厚度、开口形状，沉积金属导体，剥离第一光刻胶层、第二光刻胶层以及位于第二光刻胶层上的金属导体。一种器件，其包括由T形栅极金属下部栅极沟道开口的自对准方法形成的栅极结构。本发明方法形成的栅极导体在电介质上悬垂/延伸，实现了最终栅极导体相对于电介质开口的自对准，降低了栅极电阻（Rg）的同时也降低了寄生电容（Cgs/Cgd）。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 栅极 金属 下部 沟道 开口 对准 方法 器件 | ||
【主权项】：
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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