[发明专利]一种改善鳍式器件衬底图形不平坦对光刻聚焦影响的方法有效
| 申请号： | 202011501744.3 | 申请日： | 2020-12-17 |
| 公开（公告）号： | CN112632889B | 公开（公告）日： | 2022-10-14 |
| 发明（设计）人： | 彭翔 | 申请（专利权）人： | 上海集成电路装备材料产业创新中心有限公司;上海集成电路研发中心有限公司 |
| 主分类号： | G06F30/337 | 分类号： | G06F30/337;G06F30/3308;G06F30/398;H01L21/8234 |
| 代理公司： | 上海天辰知识产权代理事务所(特殊普通合伙) 31275 | 代理人： | 吴世华;尹一凡 |
| 地址： | 201800 上海市嘉定*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： |
一种改善鳍式器件衬底图形不平坦对光刻聚焦影响的方法，包括用硬掩膜层填平分布有密集和孤立的FIN鳍式器件衬底；根据工艺要求确定在硬掩膜层上依次形成抗反射层的厚度范围和光刻胶层的厚度，选取抗反射层的厚度范围中的N个厚度值(T |
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| 搜索关键词： | 一种 改善 器件 衬底 图形 平坦 光刻 聚焦 影响 方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
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