[发明专利]薄膜晶体管基板和显示设备在审
| 申请号： | 202011501932.6 | 申请日： | 2020-12-18 |
| 公开（公告）号： | CN113130511A | 公开（公告）日： | 2021-07-16 |
| 发明（设计）人： | 李贤贞;金荣国;徐美善 | 申请（专利权）人： | 三星显示有限公司 |
| 主分类号： | H01L27/12 | 分类号： | H01L27/12;H01L27/32 |
| 代理公司： | 北京钲霖知识产权代理有限公司 11722 | 代理人： | 李英艳;冯志云 |
| 地址： | 韩国京畿*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本公开涉及一种薄膜晶体管基板和一种包括薄膜晶体管基板的显示设备，所述显示设备包括位于基板上的第一薄膜晶体管。所述第一薄膜晶体管包括：第一半导体层，具有第一沟道区、第一源极区和第一漏极区；第一下栅电极，位于所述基板与所述第一半导体层之间；第一上栅电极，位于所述第一半导体层上并与所述第一沟道区交叠；以及第一电极层，位于所述第一上栅电极上并电连接到所述第一源极区和所述第一漏极区中的至少一者。所述第一下栅电极与所述第一沟道区和所述第一漏极区交叠。 | ||
| 搜索关键词： | 薄膜晶体管 显示 设备 | ||
【主权项】：
暂无信息
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
