[发明专利]薄膜沉积工艺腔的腔内沉积薄膜清洁方法在审

专利信息
申请号: 202011504255.3 申请日: 2020-12-18
公开(公告)号: CN112725762A 公开(公告)日: 2021-04-30
发明(设计)人: 陈翔;许隽;金立培;刘善鹏 申请(专利权)人: 华虹半导体(无锡)有限公司
主分类号: C23C16/44 分类号: C23C16/44;C23C16/455;C23C16/505;C23C16/56
代理公司: 上海浦一知识产权代理有限公司 31211 代理人: 郭四华
地址: 214028 江*** 国省代码: 江苏;32
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摘要: 发明公开了一种薄膜沉积工艺腔的腔内沉积薄膜清洁方法,包括:步骤一、进行薄膜沉积工艺,薄膜沉积过程中,工艺气体通过喷淋头均匀分配后进入到薄膜生长区域中,薄膜会同时沉积在工艺腔内侧表面以及喷淋头的下表面;步骤二、进行清洁工艺,包括:提供F离子到薄膜生长区域中对工艺腔的内侧表面和所述喷淋头的下表面上沉积的所述薄膜进行清洗去除;清洁工艺过程中,F离子会吸附在喷淋头的所述下表面上并形成氟化铝;步骤三、对氟化铝进行氧化形成粘附性比氟化铝更强的氟氧化铝。本发明能降低F‑离子对喷淋头产生的损伤从而能提高喷淋头的寿命并能提高成膜均匀性和降低颗粒污染。
搜索关键词: 薄膜 沉积 工艺 清洁 方法
【主权项】:
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