[发明专利]一种提升片式电容端电极镀镍层结合力的方法在审
| 申请号： | 202011506674.0 | 申请日： | 2020-12-18 |
| 公开（公告）号： | CN112647102A | 公开（公告）日： | 2021-04-13 |
| 发明（设计）人： | 黄皓;杨翠刚;李云仕;朱万宇;赵景勋;吴传伟;蒋萧 | 申请（专利权）人： | 成都宏明双新科技股份有限公司 |
| 主分类号： | C25D5/34 | 分类号： | C25D5/34;C25D3/12;C25F1/04;C23G1/02 |
| 代理公司： | 成都巾帼知识产权代理有限公司 51260 | 代理人： | 邢伟 |
| 地址： | 610000 四川*** | 国省代码： | 四川;51 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种提升片式电容端电极镀镍层结合力的方法，它包括以下步骤：S1、烧结金属层的除油工序；S3、烧结金属层的活化工序：将清洗后的片式电容（1）浸入到20~23%柠檬酸溶液中，柠檬酸去除掉烧结金属层（2）表面上的氧化层，以使烧结金属层的晶核露出，活化一段时间后，将片式电容（1）从柠檬酸溶液中取出，从而实现了对烧结金属层（2）的活化；S5、烧结金属层的镀镍工序：将片式电容（1）浸入到硫酸酸镍溶液中，硫酸酸镍溶液与烧结金属层（2）接触后，在烧结金属层（2）上形成一层镀镍层。本发明的有益效果是：提高镀镍层与烧结金属层结合力、延长片式电容使用寿命、简化工艺。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 提升 电容 电极 镀镍层 结合 方法 | ||
【主权项】：
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