[发明专利]一种GaN HEMT器件中选择性去除GaN的方法及器件在审
| 申请号： | 202011506761.6 | 申请日： | 2020-12-18 |
| 公开（公告）号： | CN112635555A | 公开（公告）日： | 2021-04-09 |
| 发明（设计）人： | 李亦衡;武乐可;夏远洋;黄克强;朱友华;朱廷刚 | 申请（专利权）人： | 江苏能华微电子科技发展有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/778 | 分类号： | H01L29/778;H01L21/335 |
| 代理公司： | 苏州创元专利商标事务所有限公司 32103 | 代理人： | 王桦 |
| 地址： | 215600 江苏省苏州市张家*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种GaN HEMT器件中选择性去除GaN的方法，包括形成外延结构，在p‑GaN层上沉积钝化层，对钝化层进行蚀刻，仅保留用于形成栅极的p‑GaN区域上方的钝化区域，对p‑GaN层的进行热分解，直至除p‑GaN区域以外的所有p‑GaN层完全去除。一种器件，其包括由GaN HEMT器件中选择性去除GaN的方法形成的结构。本发明的方法通过热分解将GaN完全去除后，下面的AlGaN“停止”层保持不受损，从而保持二维电子气（2DEG）完整性，提升了器件的性能和质量。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 gan hemt 器件 选择性 去除 方法 | ||
【主权项】：
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