[发明专利]晶圆背面减薄工艺方法有效
| 申请号： | 202011508325.2 | 申请日： | 2020-12-18 |
| 公开（公告）号： | CN112635300B | 公开（公告）日： | 2022-07-05 |
| 发明（设计）人： | 蒋志伟;吴长明;冯大贵;王玉新;祝建;张宇 | 申请（专利权）人： | 华虹半导体（无锡）有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/02 | 分类号： | H01L21/02 |
| 代理公司： | 上海浦一知识产权代理有限公司 31211 | 代理人： | 焦健 |
| 地址： | 214028 江*** | 国省代码： | 江苏;32 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明公开了一种晶圆背面减薄工艺方法，适用于功率器件的背面减薄工艺，在晶圆上的钝化层刻蚀过程中加入重聚合物，同步进行倒角步骤；钝化层在刻蚀过程中会产生毛刺，利用重聚合物的特性在刻蚀过程中对毛刺进行轰击，改善毛刺尖锐程度和密集程度；在后续的背面减薄工艺完成之后，由于重聚合物的轰击导致钝化层刻蚀产生的毛刺被削弱，降低了临时粘接剂与晶圆的接触面积，使临时粘接剂与晶圆之间的粘附力降低，掲膜时残胶更容易去除，不容易留有残胶。 | ||
| 搜索关键词： | 背面 工艺 方法 | ||
【主权项】：
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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