[发明专利]倒装双层DBR的LED芯片结构及其制作方法

摘要

本发明公开了一种倒装双层DBR的LED芯片结构及其制作方法，其中倒装双层DBR的LED芯片结构包括：在芯片衬底的正面生长有LED芯片外延结构，在外延结构表面上镀有ITO膜；在芯片结构上制作N、P金属导电支线；在芯片结构的正面沉积有SiO2绝缘层，在SiO2绝缘层表面镀有第一DBR反射层，通过ICP刻蚀技术将N、P金属导电支线暴露出来并在对应位置制作N、P焊盘电极；在芯片结构背面镀有第二DBR反射层；芯片结构在未切割时，在芯片结构上通过刻蚀技术形成切割道，芯片沿切割道进行切割。本发明通过在DBR反射层上设置切割道，将DBR反射层分为若干小区块，降低芯片结构的整体应力，防止芯片结构发生翘曲。