[发明专利]磁场响应光子晶体防伪薄膜及其制备方法与应用有效
| 申请号： | 202011508911.7 | 申请日： | 2020-12-19 |
| 公开（公告）号： | CN112552557B | 公开（公告）日： | 2022-04-12 |
| 发明（设计）人： | 曹玉华;许佳晟 | 申请（专利权）人： | 江南大学 |
| 主分类号： | C08L5/12 | 分类号： | C08L5/12;C08K9/10;C08K9/04;C08K3/22;C08K3/36;C08J5/18 |
| 代理公司： | 苏州市中南伟业知识产权代理事务所(普通合伙) 32257 | 代理人： | 王玉仙 |
| 地址： | 214000 江苏*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种磁场响应光子晶体防伪薄膜及其制备方法与应用。本发明通过采用十二烷基硫酸钠作为细乳化的乳化剂，通过在细乳液中挥发有机溶剂合成了粒径可调的超顺磁性纳米晶簇，用于制备构建光子晶体的磁性胶体纳米粒子。并通过修饰非离子聚合物和包覆二氧化硅合成了稳定、均一的磁性胶体纳米粒子，用于制备磁组装光子晶体。再采用琼脂糖水凝胶的作为薄膜材料，在磁场下固化形成磁响应光子晶体防伪薄膜。本发明制备的磁响应光子晶体防伪薄膜，可以在施加磁场后，瞬间显示防伪图案，当撤销磁场后，图案立即消失，实现防伪图案的快速显‑隐。制备简单快速、成本较低、防伪响应快速，防伪图案可调控，可以作为防伪材料应用。 | ||
| 搜索关键词： | 磁场 响应 光子 晶体 防伪 薄膜 及其 制备 方法 应用 | ||
【主权项】：
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