[发明专利]扩散电阻的建模方法有效
| 申请号： | 202011509541.9 | 申请日： | 2020-12-18 |
| 公开（公告）号： | CN112651201B | 公开（公告）日： | 2022-08-16 |
| 发明（设计）人： | 张东阳;张昊 | 申请（专利权）人： | 华虹半导体（无锡）有限公司;上海华虹宏力半导体制造有限公司 |
| 主分类号： | G06F30/367 | 分类号： | G06F30/367 |
| 代理公司： | 上海浦一知识产权代理有限公司 31211 | 代理人： | 郭四华 |
| 地址： | 214028 江*** | 国省代码： | 江苏;32 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明公开了一种扩散电阻的建模方法，建模过程包括：步骤一、进行体效应系数提取：步骤11、提供一个用于测试的所述扩散电阻；步骤12、在第三电极上加第一电压并对扩散电阻的进行测量得到第一测量电阻，在多个第一电压下测量得到多个第一测量电阻；步骤13、形成由第二电压差和第一测量电阻组成的第一曲线，通过第一曲线提取出体效应系数。本发明能准确模拟寄生体二极管的体偏置对仿真电阻的影响，还能模拟体效应的几何效应，从而能提高模型精度。 | ||
| 搜索关键词： | 扩散 电阻 建模 方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于华虹半导体（无锡）有限公司;上海华虹宏力半导体制造有限公司，未经华虹半导体（无锡）有限公司;上海华虹宏力半导体制造有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/202011509541.9/，转载请声明来源钻瓜专利网。
