[发明专利]LDMOS器件制作方法、LDMOS器件和终端设备在审
| 申请号： | 202011509566.9 | 申请日： | 2020-12-18 |
| 公开（公告）号： | CN112635330A | 公开（公告）日： | 2021-04-09 |
| 发明（设计）人： | 许昭昭 | 申请（专利权）人： | 华虹半导体（无锡）有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/336 | 分类号： | H01L21/336;H01L29/78;H01L29/06 |
| 代理公司： | 上海浦一知识产权代理有限公司 31211 | 代理人： | 焦天雷 |
| 地址： | 214028 江*** | 国省代码： | 江苏;32 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明公开了一种LDMOS器件制作方法，包括在衬底或外延层上形成浅沟槽隔离、栅介质层并定义多晶硅栅；形成高能量漂移区和RESUR层注入区，以及低能量漂移区；多晶硅栅进行光刻，刻蚀后保留光刻胶，进行注入形成体区；形成侧墙，在体区形成第一重掺杂区和第二重掺杂区,在低能量漂移区形成第一重掺杂区，沉积金属硅化反应阻挡介质层；在多晶硅栅、第一重掺杂区和第二重掺杂区和表面形成金属硅化物；沉积绝缘介质刻蚀停止层，沉积层间介质层；形成多个接触孔和第一金属层，近沟道一侧的第一部分接触孔通过金属层短接至栅极，靠近漏极一侧的第二部分接触孔短接至源极。本发明还公开了一种LDMOS器件和一种用于制作所述LDMOS器件的终端设备。 | ||
| 搜索关键词： | ldmos 器件 制作方法 终端设备 | ||
【主权项】：
暂无信息
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于华虹半导体（无锡）有限公司，未经华虹半导体（无锡）有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/202011509566.9/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：一种高活性钢渣微粉制备系统
- 下一篇：一种大数据系统的并行处理方法
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
