[发明专利]一种高结晶度半导体膜转移制造方法有效
| 申请号： | 202011510746.9 | 申请日： | 2020-12-19 |
| 公开（公告）号： | CN112687799B | 公开（公告）日： | 2022-10-11 |
| 发明（设计）人： | 朱国栋;陈秋松;刘蔚林 | 申请（专利权）人： | 复旦大学 |
| 主分类号： | H01L51/40 | 分类号： | H01L51/40;H01L51/05;H01L21/34;H01L21/683 |
| 代理公司： | 上海正旦专利代理有限公司 31200 | 代理人： | 陆飞;陆尤 |
| 地址： | 200433 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明属于半导体器件制造技术领域，具体一种高结晶度半导体膜转移制造方法。本发明方法利用具有粘度调节特性的热剥离胶带，将在诱导结晶模板上制备的半导体薄膜转移到目标衬底上，实现半导体内高度结晶区域与载流子传输区域的重合，并控制半导体膜分子链的取向排列，优化载流子传输效率，以便获得高电性能的半导体器件，从而实现高电学性能半导体器件的可靠制造。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 结晶度 半导体 转移 制造 方法 | ||
【主权项】：
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H01L51-00 使用有机材料作有源部分或使用有机材料与其他材料的组合作有源部分的固态器件；专门适用于制造或处理这些器件或其部件的工艺方法或设备
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