[发明专利]一种薄膜晶体管及其制备方法有效
| 申请号： | 202011513548.8 | 申请日： | 2020-12-17 |
| 公开（公告）号： | CN112542517B | 公开（公告）日： | 2023-01-17 |
| 发明（设计）人： | 胡诗犇;龚政;庞超;龚岩芬;郭婵;王建太;潘章旭;陈志涛 | 申请（专利权）人： | 广东省科学院半导体研究所 |
| 主分类号： | H01L29/786 | 分类号： | H01L29/786;H01L29/423;H01L21/34 |
| 代理公司： | 北京超凡宏宇专利代理事务所(特殊普通合伙) 11463 | 代理人： | 张洋 |
| 地址： | 510651 广*** | 国省代码： | 广东;44 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明提供一种薄膜晶体管及其制备方法，涉及半导体器件技术领域，方法包括：在衬底上依次形成栅绝缘层和栅极层；对栅极层图案化形成栅极图案层；以栅极图案层作为掩膜层，对栅绝缘层图案化形成栅绝缘图案层。由于在对栅绝缘层进行图案化处理时是直接以栅极图案层作为其掩膜层，因此，经过图案化处理的栅绝缘图案层与其上边的栅极图案层上下位置对应，两者的边缘能够对齐，进而形成自对准结构，避免了现有为实现栅极图案层和栅绝缘图案层自对准时繁琐的工艺流程，提高了薄膜晶体管制备的效率。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 薄膜晶体管 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于广东省科学院半导体研究所，未经广东省科学院半导体研究所许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/202011513548.8/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
