[发明专利]用于非易失性存储器编程操作的智能序言在审
申请号: | 202011516269.7 | 申请日: | 2020-12-21 |
公开(公告)号: | CN113838512A | 公开(公告)日: | 2021-12-24 |
发明(设计)人: | P·沙瓦;A·S·马德拉斯瓦拉;S·乌帕德亚;B·文卡塔拉曼 | 申请(专利权)人: | 英特尔公司 |
主分类号: | G11C16/34 | 分类号: | G11C16/34 |
代理公司: | 永新专利商标代理有限公司 72002 | 代理人: | 刘瑜 |
地址: | 美国加*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | 对于通过编程和编程验证操作写入的非易失性(NV)存储介质(例如,NAND(与非)介质),系统可以应用智能序言操作。智能序言操作可以选择性地应用标准编程序言,以针对目标子块计算编程参数。智能序言操作可以选择性地应用加速的编程序言,从而针对NV存储介质的相同块的随后的子块应用先前计算出的编程参数。应用之前的编程参数可以减少针对其他子块计算编程参数的需要。 | ||
搜索关键词: | 用于 非易失性存储器 编程 操作 智能 序言 | ||
【主权项】:
暂无信息
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