[发明专利]一种半导体器件的背金工艺在审
| 申请号： | 202011517395.4 | 申请日： | 2020-12-21 |
| 公开（公告）号： | CN112652523A | 公开（公告）日： | 2021-04-13 |
| 发明（设计）人： | 蔡文必;其他发明人请求不公开姓名 | 申请（专利权）人： | 厦门市三安集成电路有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/283 | 分类号： | H01L21/283;H01L21/288;H01L29/737;C23C14/04;C23C14/18;C23C28/02;C25D5/02 |
| 代理公司： | 厦门市首创君合专利事务所有限公司 35204 | 代理人： | 连耀忠;叶碎银 |
| 地址： | 361000 福建省厦门*** | 国省代码： | 福建;35 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种半导体器件的背金工艺，包括以下步骤：1)在半导体器件背面溅镀第一金属薄层；2)在第一金属薄层上涂覆光阻剂，得到光阻层；3)对光阻层依次进行曝光和显影，使第一金属薄层表面形成未被光阻层覆盖的电镀区和被光阻层覆盖的蚀刻区；4)在所述电镀区进行溅镀和/或电镀，得到第二金属层；5)去除所述蚀刻区上的光阻层；6)通过蚀刻去除所述蚀刻区的第一金属薄层。本发明进行蚀刻时，只需蚀刻第一金属薄层，因而蚀刻厚度大大减小，更容易管控蚀刻制程参数，大大减少或避免出现蚀刻不干净而需要进行补蚀刻的情况，同时，蚀刻时间大大缩短，使生产效率得到提高；蚀刻所需的蚀刻液用量变少，从而降低生产成本。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 半导体器件 金工 | ||
【主权项】：
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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