[发明专利]一种改善晶圆破片的激光退火设备及其使用方法在审
申请号: | 202011518320.8 | 申请日: | 2020-12-21 |
公开(公告)号: | CN112670206A | 公开(公告)日: | 2021-04-16 |
发明(设计)人: | 柳俊;谢威;张立 | 申请(专利权)人: | 上海华力集成电路制造有限公司 |
主分类号: | H01L21/67 | 分类号: | H01L21/67;H01L21/324 |
代理公司: | 上海浦一知识产权代理有限公司 31211 | 代理人: | 戴广志 |
地址: | 201203 上海市浦*** | 国省代码: | 上海;31 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | 本发明提供一种改善晶圆破片的激光退火设备及其使用方法,卡盘,位于卡盘上的晶圆;晶圆上方设有挡板,挡板的一侧边缘为半圆弧形,该半圆弧形与晶圆的上半部分嵌合;并且晶圆上半部分边缘被所述挡板遮住;挡板的半圆弧形的边缘为锯齿状结构;位于晶圆与挡板上方的WPC照相装置,该WPC照相装置用于监测晶圆与所述挡板的嵌合度,并用于调整晶圆的位置。本发明在激光退火设备的挡板和晶圆的正上方增设WPC照相装置,捕捉晶圆和挡板半圆弧形边缘之间的距离并将晶圆位置自动调整至最优点,使得晶圆与半圆弧形边缘完全嵌合,可以避免激光扫到晶边导致破片,而且同时可以改善激光退火的均一性。 | ||
搜索关键词: | 一种 改善 破片 激光 退火 设备 及其 使用方法 | ||
【主权项】:
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造