[发明专利]一种低温巨介电反铁磁陶瓷材料及其制备和应用有效

专利信息
申请号: 202011519121.9 申请日: 2020-12-21
公开(公告)号: CN112521144B 公开(公告)日: 2022-01-18
发明(设计)人: 傅邱云;董文;马琪 申请(专利权)人: 华中科技大学
主分类号: C04B35/457 分类号: C04B35/457;C04B35/622
代理公司: 武汉华之喻知识产权代理有限公司 42267 代理人: 彭翠;方放
地址: 430074 *** 国省代码: 湖北;42
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摘要: 发明属于功能陶瓷材料技术领域,更具体地,涉及一种低温巨介电反铁磁陶瓷材料及其制备和应用。该陶瓷材料为由SnO2基陶瓷粉体材料经烧结得到,该SnO2基陶瓷粉体材料包括主成分SnO2粉体,还包括改性剂,所述改性剂为过渡金属氧化物粉体,所述改性剂在所述陶瓷粉体组合物中的摩尔比低于10%。该陶瓷材料在低于50K温度条件下具有稳定的巨介电性能、低介电损耗以及反铁磁性。
搜索关键词: 一种 低温 巨介电反铁磁 陶瓷材料 及其 制备 应用
【主权项】:
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