[发明专利]晶边处理设备及待处理晶圆结构的处理方法在审
| 申请号： | 202011520240.6 | 申请日： | 2020-12-21 |
| 公开（公告）号： | CN112670207A | 公开（公告）日： | 2021-04-16 |
| 发明（设计）人： | 周永平;宋冬门 | 申请（专利权）人： | 长江存储科技有限责任公司 |
| 主分类号： | H01L21/67 | 分类号： | H01L21/67;H01L21/311 |
| 代理公司： | 北京汉之知识产权代理事务所(普通合伙) 11479 | 代理人： | 高园园 |
| 地址： | 430074 湖北省武*** | 国省代码： | 湖北;42 |
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| 摘要： | 本发明提供一种晶边处理设备及待处理晶圆结构的处理方法，晶边处理设备包括：基座、第一处理组件和第二处理组件，第一处理组件具有反应液喷口以向待处理晶圆结构提供反应液，第二处理组件位于第一处理组件下方，第一处理组件的下表面形成凹部，第二处理组件的上表面形成与凹部相配合的凸部，以使对待处理晶圆处理时反应液溅射朝向第二处理组件。本发明对处理设备进行了设计，在待处理晶圆基于反应液进行处理的工艺中，通过在第二处理组件上设置挡板实现反应液飞溅的遮挡，还可以通过第一处理组件有效防止设备沉积物对待处理晶圆的影响，可以延长工艺维护(PM)周期，减小工程师的过工作量，提高芯片质量。 | ||
| 搜索关键词： | 处理 设备 结构 方法 | ||
【主权项】：
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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