[发明专利]一种基于氧化硅基平面光波导的磁光非互易器件

摘要

本发明属于集成光学领域，具体涉及一种基于氧化硅基平面光波导的磁光非互易器件。本发明采用氧化硅基平面光波导，利用氧化硅基平面光波导低折射率对比度的特点，并通过结合模斑耦合器设计端面波导尺寸，调节氧化硅基平面光波导的端面光斑尺寸，使其与入射模斑趋于一致，有效避免因较大耦合损耗导致的系统信噪比下降等问题。本发明大大降低了集成光学非互易器件与光纤的端面耦合损耗，有效避免了当前领域采用硅波导因较大的耦合损耗导致的系统信噪比下降等问题，并提供了进一步进行端面光纤封装，提高整体器件性能的更优的方案，对降低器件整体损耗，提高信噪比，降低集成光学系统的体积、重量、成本等具有重要意义。