[发明专利]形成EUVL防尘薄膜的方法在审
| 申请号： | 202011525399.7 | 申请日： | 2020-12-22 |
| 公开（公告）号： | CN113093471A | 公开（公告）日： | 2021-07-09 |
| 发明（设计）人： | M·蒂默曼斯;C·惠耿巴尔特;I·波兰迪亚;E·查普曼斯;E·加拉赫 | 申请（专利权）人： | IMEC非营利协会 |
| 主分类号： | G03F1/62 | 分类号： | G03F1/62 |
| 代理公司： | 上海专利商标事务所有限公司 31100 | 代理人： | 王颖;蔡文清 |
| 地址： | 比利*** | 国省代码： | 暂无信息 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 根据本发明概念的一个方面，提供一种用于形成EUVL防尘薄膜的方法，该方法包括：对碳纳米管(CNT)膜片进行涂覆；以及将CNT膜片安装到防尘薄膜框架上，其中，对CNT膜片进行涂覆包括：用种子材料对膜片的CNT进行预涂覆；以及在预涂覆的CNT上形成外涂层，外涂层覆盖了预涂覆的CNT，外涂层的形成包括：通过原子层沉积使得涂料材料沉积在预涂覆的CNT上。 | ||
| 搜索关键词： | 形成 euvl 防尘 薄膜 方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
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G03 摄影术；电影术；利用了光波以外其他波的类似技术；电记录术；全息摄影术
G03F 图纹面的照相制版工艺，例如，印刷工艺、半导体器件的加工工艺；其所用材料；其所用原版；其所用专用设备
G03F1-00 用于图纹面的照相制版的原版，例如掩膜，光掩膜；其所用空白掩膜或其所用薄膜；其专门适用于此的容器；其制备
G03F1-20 .用于通过带电粒子束(CPB)辐照成像的掩膜或空白掩膜，例如通过电子束；其制备
G03F1-22 .用于通过100nm或更短波长辐照成像的掩膜或空白掩膜，例如 X射线掩膜、深紫外
G03F1-26 .相移掩膜[PSM]；PSM空白；其制备
G03F1-36 .具有临近校正特征的掩膜；其制备，例如光学临近校正(OPC)设计工艺
G03F1-38 .具有辅助特征的掩膜，例如用于校准或测试的特殊涂层或标记；其制备
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