[发明专利]使用硅通孔的增强型基底管芯热路径在审
| 申请号： | 202011525744.7 | 申请日： | 2020-12-22 |
| 公开（公告）号： | CN113284859A | 公开（公告）日： | 2021-08-20 |
| 发明（设计）人： | W·伯特兰德;K·阿林顿;S·德瓦塞纳蒂帕菲;A·麦克坎;N·尼尔;万志敏 | 申请（专利权）人： | 英特尔公司 |
| 主分类号： | H01L23/31 | 分类号： | H01L23/31;H01L23/367;H01L23/48 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司 72001 | 代理人： | 陈开泰;姜冰 |
| 地址： | 美国加利*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 一般来说，本公开的实施例可涉及针对封装的系统、设备、技术和/或过程，封装包括使用导热特征的堆叠式管芯，导热特征包括位于第一管芯的无源区域中的填充有导热材料的导热硅通孔（TSV），以便将来自第一管芯的热量从与第一管芯耦合的第二管芯按路径传送出去。在实施例中，第一管芯可称为基底管芯。实施例可包括采用伪管芯形式的热块，伪管芯包括至少部分地用诸如铜、焊料或其它合金之类的热能传导材料填充的TSV。 | ||
| 搜索关键词： | 使用 硅通孔 增强 基底 管芯 路径 | ||
【主权项】：
暂无信息
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