[发明专利]一种低损耗铁硅磁粉芯的制备方法在审

专利信息
申请号: 202011525847.3 申请日: 2020-12-22
公开(公告)号: CN112530656A 公开(公告)日: 2021-03-19
发明(设计)人: 蒋庆林 申请(专利权)人: 湖州浩通电子科技有限公司
主分类号: H01F1/147 分类号: H01F1/147;H01F1/26;H01F41/02;B22F1/00;B22F3/02;B22F3/10;B22F3/24;B22F9/08;C22C33/04;C22C38/24;C22C38/34
代理公司: 北京方圆嘉禾知识产权代理有限公司 11385 代理人: 陈明辉
地址: 313000 浙江*** 国省代码: 浙江;33
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摘要: 发明公开了一种低损耗铁硅磁粉芯的制备方法,包括以下步骤:合金熔炼、破碎、分筛、表面处理、绝缘包覆、加润滑剂、压制成型、热处理和表面涂层处理;其中,分筛过程中采用‑325目:‑250目:‑120目=2:3:1的质量比进行粉料配比;热处理完成后对磁粉芯表面进行涂层处理。本发明的低损耗铁硅磁粉芯的主要成分为二元系铁硅合金并添加0.22‑0.25%的铬元素和0.08‑0.15%的钒,硅6.7‑7.0%,余量为铁。本发明制备的铁硅磁粉芯,饱和磁通密度可以达到1.6 T以上,其50kHz,500Gs体积比损耗Pcv可以低至125‑135 mW/cm³,本发明的铁硅磁粉芯具有高饱和磁通密度低损耗的优点。
搜索关键词: 一种 损耗 铁硅磁粉芯 制备 方法
【主权项】:
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